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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
11.8
17.4
写入速度,GB/s
8.0
14.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3138
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
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